FCP165N60E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.165 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 179.42 грн |
| 10+ | 175.95 грн |
| 100+ | 164.69 грн |
| 500+ | 150.51 грн |
| 1000+ | 136.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP165N60E ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.165 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCP165N60E за ціною від 127.44 грн до 375.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP165N60E | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive |
на замовлення 3518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FCP165N60E | Виробник : onsemi |
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive |
на замовлення 3518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCP165N60E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FCP165N60E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V |
на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FCP165N60E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FCP165N60E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FCP165N60E | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; Idm: 69A; 227W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Pulsed drain current: 69A Case: TO220-3 On-state resistance: 0.165Ω Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 227W |
товару немає в наявності |