Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FCP165N60E
FCP165N60E

FCP165N60E onsemi / Fairchild

FCP165N60E-D.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+199.00 грн
10+160.49 грн
100+121.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP165N60E onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.165 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FCP165N60E за ціною від 118.72 грн до 358.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FCP165N60E FCP165N60E ONSEMI 2304828.pdf Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.165 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.78 грн
10+205.57 грн
100+172.68 грн
500+157.29 грн
1000+142.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E onsemi fcp165n60e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E onsemi fcp165n60e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.68 грн
10+223.88 грн
100+159.89 грн
800+118.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E onsemi fcp165n60e-d.pdf MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+358.52 грн
10+222.09 грн
100+152.24 грн
500+141.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E ON Semiconductor fcp165n60e-d.pdf
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E 2304828.pdf
FCP165N60E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.165 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+264.78 грн
10+205.57 грн
100+172.68 грн
500+157.29 грн
1000+142.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E fcp165n60e-d.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+294.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E fcp165n60e-d.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+349.68 грн
10+223.88 грн
100+159.89 грн
800+118.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E fcp165n60e-d.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+358.52 грн
10+222.09 грн
100+152.24 грн
500+141.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E fcp165n60e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.