Продукція > ONSEMI > FCP165N60E
FCP165N60E

FCP165N60E onsemi

fcp165n60e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP165N60E onsemi

Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.165 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 227W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm.

Інші пропозиції FCP165N60E за ціною від 118.46 грн до 348.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCP165N60E FCP165N60E onsemi fcp165n60e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.90 грн
10+223.38 грн
100+159.53 грн
800+118.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E onsemi fcp165n60e-d.pdf MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E onsemi / Fairchild FCP165N60E-D.pdf MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E ONSEMI 2304828.pdf Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.165 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E ON Semiconductor fcp165n60e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.58 грн
10+227.96 грн
25+216.85 грн
50+197.77 грн
100+175.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E ON Semiconductor fcp165n60e-d.pdf
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E fcp165n60e-d.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 23A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2434 pF @ 380 V
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+348.90 грн
10+223.38 грн
100+159.53 грн
800+118.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E fcp165n60e-d.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E FCP165N60E-D.pdf
FCP165N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V 23A N-Chnl SuperFET Easy-Drive
на замовлення 3518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E 2304828.pdf
FCP165N60E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP165N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.165 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 227W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E fcp165n60e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+273.58 грн
10+227.96 грн
25+216.85 грн
50+197.77 грн
100+175.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N60E fcp165n60e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.