Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCP165N65S3
FCP165N65S3

FCP165N65S3 ON Semiconductor

fcp165n65s3-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+222.76 грн
500+213.33 грн
1000+201.54 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 159 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP165N65S3 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 154W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCP165N65S3 за ціною від 118.76 грн до 333.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCP165N65S3 FCP165N65S3 ON Semiconductor fcp165n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+222.76 грн
500+213.33 грн
1000+201.54 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi FCP165N65S3-D.PDF Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.91 грн
10+213.91 грн
50+167.58 грн
100+143.28 грн
500+118.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi FCP165N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 fcp165n65s3-d.pdf
FCP165N65S3
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
159+222.76 грн
500+213.33 грн
1000+201.54 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3-D.PDF
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+333.91 грн
10+213.91 грн
50+167.58 грн
100+143.28 грн
500+118.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3-D.PDF
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.