Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCP165N65S3
FCP165N65S3

FCP165N65S3 ON Semiconductor

fcp165n65s3-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+194.02 грн
500+185.81 грн
1000+175.54 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP165N65S3 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 154W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCP165N65S3 за ціною від 115.17 грн до 307.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP165N65S3 FCP165N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcp165n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 12687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
159+194.02 грн
500+185.81 грн
1000+175.54 грн
Мінімальне замовлення: 159
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 Виробник : onsemi fcp165n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.22 грн
50+153.78 грн
100+148.94 грн
500+123.39 грн
1000+115.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 Виробник : onsemi FCP165N65S3-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.69 грн
10+172.19 грн
100+140.61 грн
500+122.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcp165n65s3-d.pdf
на замовлення 677 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcp165n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcp165n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 FCP165N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcp165n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3 Виробник : ONSEMI fcp165n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 47.5A; 154W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.165Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 47.5A
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 39nC
Drain current: 19A
Power dissipation: 154W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.