Продукція > ONSEMI > FCP165N65S3R0
FCP165N65S3R0

FCP165N65S3R0 onsemi

fcp165n65s3r0-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+163.43 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP165N65S3R0 onsemi

Description: FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 154W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCP165N65S3R0 за ціною від 135.07 грн до 332.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 Виробник : Fairchild Semiconductor FCP165N65S3R0D.PDF Description: FCP165N65S3R0 - POWER MOSFET, N-
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 440mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+163.43 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp165n65s3r0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
158+193.65 грн
500+185.49 грн
1000+175.30 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 Виробник : onsemi FCP165N65S3R0_D-1805504.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.78 грн
50+260.34 грн
100+197.71 грн
800+135.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3R0 Виробник : ONSEMI FCP165N65S3R0D.PDF Description: ONSEMI - FCP165N65S3R0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+201.47 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp165n65s3r0-d.pdf FCP165N65S3R0D.PDF
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp165n65s3r0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp165n65s3r0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 Виробник : onsemi fcp165n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.