Продукція > ONSEMI > FCP165N65S3R0
FCP165N65S3R0

FCP165N65S3R0 onsemi

fcp165n65s3r0-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+139.69 грн
Мінімальне замовлення: 143
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP165N65S3R0 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 154W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCP165N65S3R0 за ціною від 147.84 грн до 282.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 Виробник : onsemi FCP165N65S3R0_D-2311924.pdf MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.02 грн
10+ 233.58 грн
50+ 164.49 грн
500+ 158.49 грн
800+ 155.83 грн
2400+ 149.17 грн
5600+ 147.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP165N65S3R0 Виробник : ONSEMI FCP165N65S3R0D.PDF Description: ONSEMI - FCP165N65S3R0 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+177.8 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCP165N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp165n65s3r0-d.pdf
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp165n65s3r0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp165n65s3r0-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 Виробник : onsemi fcp165n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
товар відсутній