
FCP16N60 ON Semiconductor
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 143.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP16N60 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FCP16N60 за ціною від 116.10 грн до 358.11 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCP16N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FCP16N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FCP16N60 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
на замовлення 4838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FCP16N60 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
FCP16N60 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FCP16N60 |
![]() |
на замовлення 16663 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
FCP16N60 Код товару: 196557
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||
![]() |
FCP16N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FCP16N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FCP16N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FCP16N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FCP16N60 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.1A Power dissipation: 167W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 48A Gate charge: 70nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FCP16N60 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.1A Power dissipation: 167W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 48A Gate charge: 70nC |
товару немає в наявності |