Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FCP16N60

FCP16N60

fcp16n60-d.pdf
Код товару: 196557
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FCP16N60 за ціною від 110.79 грн до 349.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FCP16N60 FCP16N60 ONSEMI fcp16n60-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+298.23 грн
3+252.05 грн
10+209.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 FCP16N60 onsemi fcp16n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.21 грн
50+166.96 грн
100+152.05 грн
500+118.21 грн
1000+110.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 FCP16N60 onsemi fcp16n60-d.pdf MOSFETs 600V N-CH MOSFET SuperFET
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+349.57 грн
10+179.81 грн
100+141.89 грн
500+132.94 грн
1000+127.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
на замовлення 16663 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
FCP16N60
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A; 167W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 167W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+298.23 грн
3+252.05 грн
10+209.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
FCP16N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+333.21 грн
50+166.96 грн
100+152.05 грн
500+118.21 грн
1000+110.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
FCP16N60
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-CH MOSFET SuperFET
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+349.57 грн
10+179.81 грн
100+141.89 грн
500+132.94 грн
1000+127.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP16N60 fcp16n60-d.pdf
на замовлення 16663 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.