
FCP16N60N ON Semiconductor
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 208.50 грн |
11+ | 56.07 грн |
93+ | 53.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP16N60N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP16N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.199 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 134.4W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SupreMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FCP16N60N за ціною від 248.90 грн до 496.95 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCP16N60N | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 134.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 100 V |
на замовлення 1656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCP16N60N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCP16N60N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCP16N60N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCP16N60N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCP16N60N | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 134.4W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SupreMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.199ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 1051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCP16N60N | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 134.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 100 V |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCP16N60N | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCP16N60N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
FCP16N60N | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |