FCP16N60N Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 134.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 100 V
на замовлення 3028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 93+ | 218.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP16N60N Fairchild Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP16N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 16, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 134.4, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 134.4, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FCP16N60N за ціною від 192.22 грн до 446.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP16N60N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FCP16N60N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCP16N60N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP16N60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 16 A, 0.17 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 16 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 134.4 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 134.4 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCP16N60N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET SupreMOS 16A |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCP16N60N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |