Інші пропозиції FCP190N60E за ціною від 126.58 грн до 447.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP190N60E | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCP190N60E | onsemi |
MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET |
на замовлення 1727 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
| FCP190N60E | On Semiconductor |
MOSFET N-CH 600V TO220-3 Транзистори |
на замовлення 2 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
| FCP190N60E |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 353.26 грн |
| 10+ | 226.84 грн |
| 50+ | 178.05 грн |
| 100+ | 152.37 грн |
| 500+ | 126.58 грн |
| FCP190N60E |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
на замовлення 1727 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 447.94 грн |
| 10+ | 289.31 грн |
| 100+ | 184.29 грн |
| 500+ | 163.82 грн |
| 1000+ | 147.00 грн |
| FCP190N60E |
|
Виробник: On Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3 Транзистори
MOSFET N-CH 600V TO220-3 Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 390.00 грн |