Продукція > ONSEMI > FCP190N60E
FCP190N60E

FCP190N60E onsemi

fcpf190n60e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
на замовлення 8632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.63 грн
50+169.94 грн
100+154.79 грн
500+120.35 грн
1000+112.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP190N60E onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCP190N60E за ціною від 128.58 грн до 403.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP190N60E FCP190N60E Виробник : onsemi fcpf190n60e-d.pdf MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+403.57 грн
10+259.58 грн
100+176.80 грн
500+148.15 грн
1000+136.97 грн
2500+128.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N60E Виробник : ONN fcpf190n60e-d.pdf
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N60E Виробник : On Semiconductor fcpf190n60e-d.pdf MOSFET N-CH 600V TO220-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N60E
Код товару: 152423
Додати до обраних Обраний товар
fcpf190n60e-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N60E FCP190N60E Виробник : ON Semiconductor fcpf190n60e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N60E FCP190N60E Виробник : ON Semiconductor fcpf190n60e-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N60E Виробник : ONSEMI fcpf190n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.6A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.19Ω
Gate charge: 63nC
Power dissipation: 208W
Pulsed drain current: 61.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.