Інші пропозиції FCP190N60E за ціною від 112.27 грн до 337.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP190N60E | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V |
на замовлення 8632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCP190N60E | onsemi |
MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET |
на замовлення 1829 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
FCP190N60E | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET |
на замовлення 3078 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FCP190N60E | ONN |
|
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCP190N60E |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
на замовлення 8632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 337.85 грн |
| 50+ | 169.06 грн |
| 100+ | 153.98 грн |
| 500+ | 119.72 грн |
| 1000+ | 112.27 грн |
| FCP190N60E |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
на замовлення 1829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FCP190N60E |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FCP190N60E |
|
Виробник: ONN
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)