FCP190N60E onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
на замовлення 8693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 251.16 грн |
50+ | 191.64 грн |
100+ | 164.26 грн |
500+ | 137.03 грн |
1000+ | 117.33 грн |
2000+ | 110.48 грн |
5000+ | 104.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP190N60E onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FCP190N60E за ціною від 113.45 грн до 272.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCP190N60E | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-CHAN MOSFET |
на замовлення 3180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCP190N60E Код товару: 152423 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FCP190N60E | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FCP190N60E | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FCP190N60E | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |