Технічний опис FCP190N65F ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FCP190N65F за ціною від 126.29 грн до 367.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP190N65F | ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FCP190N65F | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCP190N65F | onsemi |
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET |
на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCP190N65F | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 25 V |
на замовлення 33369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FCP190N65F | ON Semiconductor |
|
на замовлення 1530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCP190N65F |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 148+ | 239.26 грн |
| 500+ | 227.47 грн |
| 1000+ | 214.51 грн |
| FCP190N65F |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 148+ | 239.26 грн |
| 500+ | 227.47 грн |
| FCP190N65F |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 323.85 грн |
| 10+ | 199.62 грн |
| 100+ | 157.05 грн |
| 500+ | 146.03 грн |
| FCP190N65F |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 25 V
на замовлення 33369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 367.31 грн |
| 50+ | 185.70 грн |
| 100+ | 169.46 грн |
| 500+ | 132.32 грн |
| 1000+ | 126.29 грн |
| FCP190N65F |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)