Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCP190N65F
FCP190N65F

FCP190N65F ON Semiconductor

fcp190n65f-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
79+155.98 грн
100+148.72 грн
500+138.04 грн
Мінімальне замовлення: 79
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP190N65F ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCP190N65F за ціною від 126.16 грн до 335.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP190N65F FCP190N65F Виробник : ON Semiconductor fcp190n65f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+167.12 грн
100+159.34 грн
500+147.90 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65F FCP190N65F Виробник : onsemi fcp190n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3225 pF @ 25 V
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.10 грн
50+160.13 грн
100+149.28 грн
500+133.08 грн
1000+126.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65F FCP190N65F Виробник : onsemi / Fairchild fcp190n65f-d.pdf MOSFETs N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET
на замовлення 3444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.42 грн
10+157.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65F Виробник : ON Semiconductor fcp190n65f-d.pdf
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65F FCP190N65F Виробник : ON Semiconductor fcp190n65f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65F Виробник : ONSEMI fcp190n65f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 61.8A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65F Виробник : ONSEMI fcp190n65f-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.6A; Idm: 61.8A; 208W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 61.8A
Power dissipation: 208W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.