Продукція > ONSEMI > FCP190N65S3
FCP190N65S3

FCP190N65S3 onsemi

fcp190n65s3-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.68 грн
50+110.60 грн
100+109.24 грн
500+100.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP190N65S3 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCP190N65S3 за ціною від 123.23 грн до 187.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP190N65S3 FCP190N65S3 Виробник : onsemi / Fairchild fcp190n65s3-d.pdf MOSFETs SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.52 грн
10+123.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcp190n65s3-d.pdf
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65S3 FCP190N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcp190n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65S3 FCP190N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcp190n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65S3 Виробник : ONSEMI fcp190n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 144W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 42.5A
Power dissipation: 144W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP190N65S3 Виробник : ONSEMI fcp190n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 144W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 42.5A
Power dissipation: 144W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.