на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.46 грн |
| 10+ | 126.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP190N65S3 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCP190N65S3 за ціною від 112.91 грн до 324.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP190N65S3 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FCP190N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FCP190N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FCP190N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FCP190N65S3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17A; Idm: 42.5A; 144W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 17A Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.19Ω Gate charge: 33nC Power dissipation: 144W Pulsed drain current: 42.5A |
товару немає в наявності |