FCP190N65S3R0 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.65 грн |
| 50+ | 87.50 грн |
| 100+ | 78.78 грн |
| 500+ | 59.61 грн |
| 1000+ | 55.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP190N65S3R0 onsemi
Description: ONSEMI - FCP190N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 144W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm.
Інші пропозиції FCP190N65S3R0 за ціною від 69.99 грн до 208.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP190N65S3R0 | onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FCP190N65S3R0 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP190N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 144W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm |
на замовлення 871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FCP190N65S3R0 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 333 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCP190N65S3R0 |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220 PKG
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 192.87 грн |
| 10+ | 94.26 грн |
| 100+ | 73.70 грн |
| FCP190N65S3R0 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP190N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
Description: ONSEMI - FCP190N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.19 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 208.13 грн |
| 10+ | 133.40 грн |
| 100+ | 90.81 грн |
| 500+ | 69.99 грн |
| FCP190N65S3R0 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 333 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)