
FCP190N65S3R0 ON Semiconductor
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 64.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP190N65S3R0 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP190N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 17 A, 0.159 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FCP190N65S3R0 за ціною від 53.16 грн до 192.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCP190N65S3R0 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.159ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 553 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP190N65S3R0 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 1574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCP190N65S3R0 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V |
на замовлення 3685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
FCP190N65S3R0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 333 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
FCP190N65S3R0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FCP190N65S3R0 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FCP190N65S3R0 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |