Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCP20N60
FCP20N60

FCP20N60 ON Semiconductor

fcp20n60-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+203.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP20N60 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCP20N60 за ціною від 171.68 грн до 355.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP20N60 FCP20N60 Виробник : ON Semiconductor fcp20n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+205.36 грн
50+203.81 грн
100+200.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 Виробник : ON Semiconductor fcp20n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.11 грн
50+230.38 грн
100+222.00 грн
500+211.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 Виробник : ON Semiconductor fcp20n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+254.78 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.56 грн
3+257.92 грн
10+234.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 Виробник : onsemi / Fairchild 3B10EF980FCEF77A9F6DE91565C6C400E1F61CD71A63844A2451F8C432B505F0.pdf MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 1094 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.31 грн
10+218.16 грн
100+184.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 Виробник : onsemi fcp20n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 5807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.24 грн
50+202.64 грн
100+195.00 грн
500+171.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDB8D9526FFE28&compId=FCP20N60.pdf?ci_sign=0c4dc357d8eb3c951b7ae0daf8438e85f5ce660f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 98nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.88 грн
3+321.41 грн
10+280.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 Виробник : ON Semiconductor fcp20n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 Виробник : ON Semiconductor fcp20n60jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP20N60 FCP20N60 Виробник : ON Semiconductor fcp20n60-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.