Продукція > ONSEMI > FCP220N80
FCP220N80

FCP220N80 onsemi

fcp220n80-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 23A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.3mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 100 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+489.43 грн
50+ 376.26 грн
100+ 336.65 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP220N80 onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 23A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.3mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCP220N80

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCP220N80 FCP220N80 Виробник : ON Semiconductor fcp220n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FCP220N80 FCP220N80 Виробник : onsemi / Fairchild FCP220N80_D-1806422.pdf MOSFET 800V 23A N-Channel SuperFET II MOSFET
товар відсутній