Продукція > ONSEMI > FCP25N60N-F102

FCP25N60N-F102 onsemi

Name: FCP25N60N-F102
Brand: onsemi
SKU: 40426706-3
Price: 162.3 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 216W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V

на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
300+	162.3 грн

Мінімальне замовлення: 300

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FCP25N60N-F102 onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 216W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCP25N60N-F102

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
FCP25N60N-F102	Виробник : onsemi / Fairchild	MOSFET 600V N-CHAN SupreMOS	на замовлення 483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)
FCP25N60N-F102	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube	товар відсутній
FCP25N60N-F102	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 216W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V	товар відсутній