Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FCP25N60N
FCP25N60N

FCP25N60N Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003584517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 216W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+277.60 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP25N60N Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 600V TO-220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 216W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCP25N60N за ціною від 321.95 грн до 321.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP25N60N Виробник : ONSEMI FCP25N60N-D.pdf Description: ONSEMI - FCP25N60N - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 1337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
90+321.95 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
FCP25N60N FCP25N60N Виробник : onsemi fcp25n60n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 216W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3352 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP25N60N Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584517-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcp25n60n-d.pdf onsemi SM 600V 125MOHM F TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.