на замовлення 800 шт:
термін постачання 461-470 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 368.34 грн |
| 10+ | 327.38 грн |
| 100+ | 233.16 грн |
| 500+ | 198.15 грн |
| 800+ | 197.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP290N80 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 212W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCP290N80
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP290N80 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|
 |
FCP290N80 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 212W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V |
товар відсутній |