FCP290N80 ON Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 298.42 грн |
| 10+ | 258.06 грн |
| 100+ | 199.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP290N80 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 212W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCP290N80
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP290N80 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 212W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FCP290N80 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs 800V SuperFET2 N-Chnl Mosfet |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| FCP290N80 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| FCP290N80 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3205 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCP290N80 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 800V SuperFET2 N-Chnl Mosfet
MOSFETs 800V SuperFET2 N-Chnl Mosfet
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FCP290N80 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.