
FCP380N60 ON Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
224+ | 136.24 грн |
500+ | 131.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP380N60 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCP380N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10.2 A, 0.33 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 106W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCP380N60 за ціною від 80.25 грн до 297.73 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCP380N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 80600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCP380N60 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCP380N60 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCP380N60 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
FCP380N60 | Виробник : FAIRCHILD |
![]() |
на замовлення 23500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
FCP380N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FCP380N60 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
FCP380N60 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 30.6A Power dissipation: 106W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
FCP380N60 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
FCP380N60 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 30.6A Power dissipation: 106W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |