FCP380N60E Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 25616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 186+ | 113.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP380N60E Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FCP380N60E за ціною від 83.61 грн до 287.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP380N60E | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FCP380N60E | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 19566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FCP380N60E | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FCP380N60E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 730 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
FCP380N60E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FCP380N60E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FCP380N60E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 10.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
FCP380N60E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FCP380N60E | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.2A; Idm: 30.6A; 106W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 10.2A Pulsed drain current: 30.6A Power dissipation: 106W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |