Продукція > ONSEMI > FCP400N80Z
FCP400N80Z

FCP400N80Z onsemi

fcp400n80z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 1000 V
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+248.64 грн
10+ 215.15 грн
100+ 176.27 грн
500+ 140.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP400N80Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції FCP400N80Z за ціною від 103.7 грн до 249.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCP400N80Z FCP400N80Z Виробник : onsemi / Fairchild FCP400N80Z_D-2312111.pdf MOSFET SuperFET2 800V 400mohm
на замовлення 4647 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.67 грн
10+ 206.61 грн
50+ 169.09 грн
100+ 144.65 грн
250+ 136.73 грн
500+ 112.95 грн
800+ 103.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP400N80Z FCP400N80Z Виробник : Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584542-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 1 V
товар відсутній