
FCP400N80Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 1000 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 275.48 грн |
50+ | 146.66 грн |
100+ | 134.58 грн |
500+ | 108.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP400N80Z onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції FCP400N80Z за ціною від 115.22 грн до 277.42 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCP400N80Z | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 4647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
FCP400N80Z | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |