на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 268.51 грн |
| 10+ | 157.07 грн |
| 100+ | 124.51 грн |
| 500+ | 113.95 грн |
| 1000+ | 110.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP400N80Z onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції FCP400N80Z за ціною від 111.49 грн до 283.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP400N80Z | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 195W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 1000 V |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FCP400N80Z | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; Idm: 33A; 195W; TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 0.4Ω Drain current: 14A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 195W Case: TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| FCP400N80Z | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; Idm: 33A; 195W; TO220-3 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 43nC On-state resistance: 0.4Ω Drain current: 14A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 800V Pulsed drain current: 33A Power dissipation: 195W Case: TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |