Продукція > ONSEMI > FCP400N80Z
FCP400N80Z

FCP400N80Z onsemi

fcp400n80z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 1000 V
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.40 грн
50+149.36 грн
100+135.77 грн
500+105.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP400N80Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 14A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 195W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 1000 V.

Інші пропозиції FCP400N80Z за ціною від 112.15 грн до 318.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP400N80Z FCP400N80Z Виробник : onsemi fcp400n80z-d.pdf MOSFETs SuperFET2 800V 400mohm
на замовлення 4520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.21 грн
10+161.61 грн
100+119.07 грн
500+112.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP400N80Z Виробник : ONSEMI fcp400n80z-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 14A; Idm: 33A; 195W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 14A
Power dissipation: 195W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 33A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.