Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FCP600N60Z
FCP600N60Z

FCP600N60Z Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003584062-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
258+77.16 грн
Мінімальне замовлення: 258
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP600N60Z Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCP600N60Z за ціною від 64.86 грн до 173.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCP600N60Z FCP600N60Z Виробник : onsemi fcpf600n60z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 25 V
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.92 грн
50+ 123.54 грн
100+ 101.65 грн
500+ 80.72 грн
1000+ 68.49 грн
2000+ 65.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP600N60Z FCP600N60Z Виробник : onsemi / Fairchild FCPF600N60Z_D-2312019.pdf MOSFET 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+173.25 грн
10+ 142.44 грн
100+ 97.89 грн
250+ 73.92 грн
500+ 69.92 грн
800+ 66.26 грн
5600+ 64.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP600N60Z Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584062-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FCP600N60Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FCP600N60Z FCP600N60Z Виробник : ON Semiconductor fcp600n60z.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній