Продукція > ONSEMI > FCP600N65S3R0
FCP600N65S3R0

FCP600N65S3R0 onsemi

FCP600N65S3R0_D-1805510.pdf Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm
на замовлення 3975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.86 грн
10+ 122.84 грн
25+ 100.81 грн
100+ 86.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP600N65S3R0 onsemi

Description: ONSEMI - FCP600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FCP600N65S3R0 за ціною від 63.29 грн до 187.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCP600N65S3R0 FCP600N65S3R0 Виробник : onsemi fcp600n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.27 грн
10+ 124.06 грн
100+ 98.76 грн
800+ 78.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP600N65S3R0 FCP600N65S3R0 Виробник : ONSEMI FCP600N65S3R0-D.PDF Description: ONSEMI - FCP600N65S3R0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.493 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.493ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+187.23 грн
10+ 137.8 грн
100+ 100.36 грн
500+ 84.15 грн
1000+ 63.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCP600N65S3R0 Виробник : ON Semiconductor fcp600n65s3r0-d.pdf
на замовлення 694 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)