Продукція > ONSEMI > FCP650N80Z
FCP650N80Z

FCP650N80Z onsemi

fcp650n80z-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
168+122.41 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 168 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP650N80Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 162W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCP650N80Z за ціною від 150.90 грн до 236.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCP650N80Z FCP650N80Z onsemi / Fairchild FCP650N80Z_D-1806830.pdf MOSFET 800V 10A NChn MOSFET SuperFET II
на замовлення 22 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+236.48 грн
10+208.93 грн
25+176.42 грн
100+150.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80Z FCP650N80Z ONSEMI 2304829.pdf Description: ONSEMI - FCP650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 162
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80Z FCP650N80Z_D-1806830.pdf
FCP650N80Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V 10A NChn MOSFET SuperFET II
на замовлення 22 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.48 грн
10+208.93 грн
25+176.42 грн
100+150.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCP650N80Z 2304829.pdf
FCP650N80Z
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 162
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.