FCP650N80Z onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCP650N80Z onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 10A TO220, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA, Power Dissipation (Max): 162W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції FCP650N80Z
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FCP650N80Z | onsemi / Fairchild |
MOSFET 800V 10A NChn MOSFET SuperFET II |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
FCP650N80Z | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCP650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800 Dauer-Drainstrom Id: 10 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 162 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: SuperFET II Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCP650N80Z |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V 10A NChn MOSFET SuperFET II
MOSFET 800V 10A NChn MOSFET SuperFET II
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FCP650N80Z |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCP650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 162
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FCP650N80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 162
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: SuperFET II
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.53
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)