Продукція > ONSEMI > FCP850N80Z
FCP850N80Z

FCP850N80Z onsemi

fcp850n80z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.00 грн
10+166.23 грн
100+116.10 грн
800+84.36 грн
1600+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCP850N80Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCP850N80Z за ціною від 90.53 грн до 266.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCP850N80Z FCP850N80Z Виробник : onsemi FCP850N80Z-D.pdf MOSFETs 800V 8A NChn MOSFET SuperFET II, FRFET
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.35 грн
10+182.88 грн
100+109.43 грн
500+90.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80Z FCP850N80Z Виробник : ON Semiconductor 3657126623206184fcp850n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80Z Виробник : ON Semiconductor fcp850n80z-d.pdf
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80Z FCP850N80Z Виробник : ON Semiconductor 3657126623206184fcp850n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80Z FCP850N80Z Виробник : ON Semiconductor 3657126623206184fcp850n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80Z FCP850N80Z Виробник : ON Semiconductor 3657126623206184fcp850n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80Z FCP850N80Z Виробник : ON Semiconductor 3657126623206184fcp850n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCP850N80Z Виробник : ONSEMI fcp850n80z-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 18A; 136W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 136W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.