Продукція > ONSEMI > FCPF067N65S3
FCPF067N65S3

FCPF067N65S3 onsemi

FCPF067N65S3-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 44A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 67mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 400 V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+567.26 грн
10+372.63 грн
50+298.50 грн
100+257.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF067N65S3 onsemi

Description: ONSEMI - FCPF067N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 46W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SuperFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm.

Інші пропозиції FCPF067N65S3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3 onsemi FCPF067N65S3-D.PDF MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3 ONSEMI 2304659.pdf Description: ONSEMI - FCPF067N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3 FCPF067N65S3-D.PDF
FCPF067N65S3
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET3 650V 67 mOhm
на замовлення 4437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF067N65S3 2304659.pdf
FCPF067N65S3
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF067N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 44 A, 0.067 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 46W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.