Інші пропозиції FCPF099N65S3 за ціною від 153.84 грн до 475.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCPF099N65S3 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCPF099N65S3 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 11683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCPF099N65S3 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 400 V |
на замовлення 3237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
FCPF099N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
FCPF099N65S3 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
FCPF099N65S3 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |