Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FCPF099N65S3

FCPF099N65S3

fcpf099n65s3-d.pdf
Код товару: 142690
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

у наявності 1 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FCPF099N65S3 за ціною від 162.58 грн до 493.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCPF099N65S3 FCPF099N65S3 Виробник : ONSEMI 2859341.pdf Description: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+422.08 грн
10+316.99 грн
100+211.04 грн
500+180.10 грн
1000+162.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3 FCPF099N65S3 Виробник : onsemi / Fairchild FCPF099N65S3-D.PDF MOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm
на замовлення 11714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.18 грн
10+260.14 грн
100+206.41 грн
500+175.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3 FCPF099N65S3 Виробник : onsemi fcpf099n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 400 V
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+493.51 грн
50+252.79 грн
100+231.34 грн
500+183.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3 FCPF099N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcpf099n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3 FCPF099N65S3 Виробник : ON Semiconductor fcpf099n65s3-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3 Виробник : ONSEMI fcpf099n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Pulsed drain current: 75A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF099N65S3 Виробник : ONSEMI fcpf099n65s3-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 75A; 43W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 43W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 57nC
Pulsed drain current: 75A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.