Інші пропозиції FCPF099N65S3 за ціною від 161.30 грн до 492.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCPF099N65S3 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FCPF099N65S3 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FCPF099N65S3 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm |
на замовлення 11766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FCPF099N65S3 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA Supplier Device Package: TO-220F Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 400 V |
на замовлення 80132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FCPF099N65S3 | onsemi |
MOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm |
на замовлення 11449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
FCPF099N65S3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.099 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 43W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperFET III productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm |
на замовлення 1625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FCPF099N65S3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 246.56 грн |
| FCPF099N65S3 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 650V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 116+ | 305.94 грн |
| FCPF099N65S3 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm
MOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm
на замовлення 11766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 408.14 грн |
| 10+ | 238.50 грн |
| 100+ | 189.23 грн |
| 500+ | 161.30 грн |
| FCPF099N65S3 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2310 pF @ 400 V
на замовлення 80132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 454.84 грн |
| 50+ | 233.76 грн |
| 100+ | 214.08 грн |
| 500+ | 168.55 грн |
| 1000+ | 166.32 грн |
| FCPF099N65S3 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm
MOSFETs SuperFET3 650V 99 mOhm
на замовлення 11449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 492.87 грн |
| 10+ | 309.16 грн |
| 100+ | 237.41 грн |
| 500+ | 171.08 грн |
| 1000+ | 169.68 грн |
| FCPF099N65S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.099 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
Description: ONSEMI - FCPF099N65S3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.099 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 43W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SuperFET III
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 492.87 грн |
| 10+ | 313.64 грн |
| 100+ | 276.98 грн |
| 500+ | 185.33 грн |
| 1000+ | 169.68 грн |






