Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FCPF11N60NT
FCPF11N60NT

FCPF11N60NT Fairchild Semiconductor

FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
на замовлення 14218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
143+154.15 грн
Мінімальне замовлення: 143
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF11N60NT Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCPF11N60NT за ціною від 231.74 грн до 366.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCPF11N60NT FCPF11N60NT Виробник : onsemi / Fairchild FCPF11N60NT_D-1773722.pdf MOSFET SupreMOS 11A
на замовлення 352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.49 грн
10+324.88 грн
25+274.41 грн
100+231.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT Виробник : ON Semiconductor FAIRS46027-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf11n60nt-d.pdf
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FCPF11N60NT Виробник : ON Semiconductor fcpf11n60nt.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF11N60NT FCPF11N60NT Виробник : onsemi fcpf11n60nt-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.