FCPF1300N80ZYD ON Semiconductor
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 378+ | 32.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF1300N80ZYD ON Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCPF1300N80ZYD за ціною від 35.16 грн до 81.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FCPF1300N80ZYD | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FCPF1300N80ZYD | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
FCPF1300N80ZYD | Виробник : onsemi |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FCPF1300N80ZYD | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET SF2 800V 1.3OHM E TO220F |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
FCPF1300N80ZYD | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FCPF1300N80ZYD | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |