FCPF165N65S3R0L ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF165N65S3R0L - MOSFET, N-CH, 650V, 19A, TO-220FP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 96.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF165N65S3R0L ONSEMI
Description: FCPF165N65S3R0L - POWER MOSFET,, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCPF165N65S3R0L за ціною від 102.69 грн до 102.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCPF165N65S3R0L | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: FCPF165N65S3R0L - POWER MOSFET, Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V |
на замовлення 11630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FCPF165N65S3R0L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V |
на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FCPF165N65S3R0L | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| FCPF165N65S3R0L | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 541 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
FCPF165N65S3R0L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
FCPF165N65S3R0L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |