Продукція > ONSEMI > FCPF190N60-F154
FCPF190N60-F154

FCPF190N60-F154 onsemi


Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF190N60-F154 onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCPF190N60-F154

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCPF190N60-F154 Виробник : onsemi FCPF190N60_F154_D-2311803.pdf MOSFET SF2 600V 190MOHM F TO220F
товар відсутній