Продукція > ONSEMI > FCPF190N60E-F154
FCPF190N60E-F154

FCPF190N60E-F154 onsemi

fcpf190n60e-f154-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.20 грн
10+194.04 грн
100+138.29 грн
500+125.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF190N60E-F154 onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Not For New Designs, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCPF190N60E-F154

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCPF190N60E-F154 Виробник : ON Semiconductor fcpf190n60e-f154-d.pdf Power MOSFET, N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60E-F154 Виробник : onsemi FCPF190N60E_F154_D-2311953.pdf MOSFETs SF2 600V 190MOHM E TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.