Продукція > ONSEMI > FCPF190N60E
FCPF190N60E

FCPF190N60E onsemi

fcpf190n60e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+263.65 грн
50+ 201.15 грн
100+ 172.41 грн
500+ 143.83 грн
1000+ 123.15 грн
2000+ 115.96 грн
5000+ 109.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF190N60E onsemi

Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FCPF190N60E за ціною від 120.53 грн до 310.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCPF190N60E FCPF190N60E Виробник : onsemi / Fairchild FCPF190N60E_D-2312211.pdf MOSFET 600V N-CHAN MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+289.02 грн
10+ 239.7 грн
50+ 201.11 грн
100+ 167.82 грн
250+ 163.15 грн
500+ 149.17 грн
1000+ 120.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF190N60E FCPF190N60E Виробник : ONSEMI 2303906.pdf Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.16 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+310.77 грн
10+ 220.38 грн
100+ 177.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCPF190N60E Виробник : ON Semiconductor fcpf190n60e-d.pdf
на замовлення 3895 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCPF190N60E FCPF190N60E Виробник : ON Semiconductor 3678636644787662fcpf190n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FCPF190N60E FCPF190N60E Виробник : ON Semiconductor 3678636644787662fcpf190n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній