FCPF190N60E ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 39W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 298.40 грн |
| 10+ | 269.05 грн |
| 100+ | 158.98 грн |
| 500+ | 138.54 грн |
| 1000+ | 123.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF190N60E ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 39W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCPF190N60E
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FCPF190N60E | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 3895 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FCPF190N60E | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FCPF190N60E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FCPF190N60E | Виробник : onsemi |
MOSFETs 600V N-CHAN MOSFET |
товару немає в наявності |
|
| FCPF190N60E | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 61.8A; 39W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.6A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.19Ω Gate charge: 63nC Power dissipation: 39W Pulsed drain current: 61.8A |
товару немає в наявності |