
FCPF190N65FL1-F154 onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 100 V
на замовлення 23845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 383.58 грн |
50+ | 190.69 грн |
100+ | 181.35 грн |
500+ | 141.54 грн |
1000+ | 139.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF190N65FL1-F154 onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 39W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Not For New Designs, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCPF190N65FL1-F154 за ціною від 152.29 грн до 327.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCPF190N65FL1-F154 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
FCPF190N65FL1-F154 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |