FCPF190N65S3L1 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V
на замовлення 327240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 294+ | 74.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF190N65S3L1 onsemi
Description: ONSEMI - FCPF190N65S3L1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FCPF190N65S3L1 за ціною від 108.94 грн до 108.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCPF190N65S3L1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF190N65S3L1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 327340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FCPF190N65S3L1 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG |
на замовлення 854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| FCPF190N65S3L1 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| FCPF190N65S3L1 | Виробник : ON Semiconductor |
N-Channel SuperFET MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||
|
|
FCPF190N65S3L1 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |