
FCPF190N65S3R0L ON Semiconductor
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 68.54 грн |
19+ | 33.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF190N65S3R0L ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCPF190N65S3R0L за ціною від 83.35 грн до 86.62 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCPF190N65S3R0L | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V |
на замовлення 58079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
FCPF190N65S3R0L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
![]() |
FCPF190N65S3R0L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
FCPF190N65S3R0L | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 58079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FCPF190N65S3R0L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 228 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
![]() |
FCPF190N65S3R0L | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FCPF190N65S3R0L | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |