Інші пропозиції FCPF20N60 за ціною від 217.60 грн до 424.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCPF20N60 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FCPF20N60 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FCPF20N60 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12.5A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 60A Gate charge: 98nC |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
|
FCPF20N60 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FCPF20N60 | onsemi |
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET |
на замовлення 892 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| FCPF20N60 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF20N60 - MOSFET, N, TO-220FtariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FCPF20N60 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 264.47 грн |
| FCPF20N60 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 505+ | 371.24 грн |
| FCPF20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 98nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 60A
Gate charge: 98nC
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 379.53 грн |
| 3+ | 328.43 грн |
| 10+ | 271.35 грн |
| FCPF20N60 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 424.48 грн |
| 50+ | 217.60 грн |
| FCPF20N60 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
MOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FCPF20N60 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF20N60 - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FCPF20N60 - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







