
FCPF220N80 onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 23A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.3mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 100 V
на замовлення 18797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 425.13 грн |
50+ | 224.56 грн |
100+ | 215.52 грн |
500+ | 183.81 грн |
1000+ | 182.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF220N80 onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 23A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 11.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.3mA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCPF220N80 за ціною від 194.22 грн до 450.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCPF220N80 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
FCPF220N80 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
FCPF220N80 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FCPF220N80 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
FCPF220N80 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
FCPF220N80 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 23A; Idm: 57A; 44W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 23A Pulsed drain current: 57A Power dissipation: 44W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
FCPF220N80 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 23A; Idm: 57A; 44W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 23A Pulsed drain current: 57A Power dissipation: 44W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |