FCPF2250N80Z Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 199+ | 109.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF2250N80Z Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCPF2250N80Z за ціною від 89.23 грн до 227.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCPF2250N80Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FCPF2250N80Z | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FCPF2250N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FCPF2250N80Z | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF2250N80Z - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FCPF2250N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
FCPF2250N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FCPF2250N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 3.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FCPF2250N80Z | Виробник : ONSEMI |
FCPF2250N80Z THT N channel transistors |
товару немає в наявності |