Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FCPF2250N80Z
FCPF2250N80Z

FCPF2250N80Z Fairchild Semiconductor

FAIR-S-A0002365705-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
176+115.09 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF2250N80Z Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA, Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції FCPF2250N80Z за ціною від 81.52 грн до 275.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCPF2250N80Z FCPF2250N80Z Виробник : onsemi / Fairchild FCPF2250N80Z-D.PDF MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 2.6 A, 2.25 O
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.55 грн
10+177.87 грн
100+113.57 грн
500+101.02 грн
1000+85.70 грн
2000+81.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF2250N80Z Виробник : ON Semiconductor FAIR-S-A0002365705-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcpf2250n80z-d.pdf
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF2250N80Z FCPF2250N80Z Виробник : onsemi fcpf2250n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.25Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 260µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.