
FCPF250N65S3L1-F154 ON Semiconductor
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
142+ | 86.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF250N65S3L1-F154 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCPF250N65S3L1-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 12 A, 0.21 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 31W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCPF250N65S3L1-F154 за ціною від 71.88 грн до 302.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCPF250N65S3L1-F154 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCPF250N65S3L1-F154 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V |
на замовлення 986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCPF250N65S3L1-F154 | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
FCPF250N65S3L1-F154 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.21ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
FCPF250N65S3L1-F154 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
FCPF250N65S3L1-F154 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |