
FCPF250N65S3L1 ON Semiconductor / Fairchild
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF250N65S3L1 ON Semiconductor / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 31W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V.
Інші пропозиції FCPF250N65S3L1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FCPF250N65S3L1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FCPF250N65S3L1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FCPF250N65S3L1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |