Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FCPF260N60E
FCPF260N60E

FCPF260N60E ON Semiconductor

fcpf260n60e.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+99.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF260N60E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FCPF260N60E за ціною від 106.17 грн до 327.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCPF260N60E FCPF260N60E Виробник : Fairchild Semiconductor fcpf260n60e-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
142+152.39 грн
Мінімальне замовлення: 142
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E Виробник : onsemi 2FDE23CA247239DF0CF0F719E3314AD4108D7BC1007E7E9C83920DE3124DED00.pdf MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.41 грн
100+139.42 грн
500+112.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584187-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+212.84 грн
10+183.69 грн
100+151.90 грн
500+131.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E Виробник : onsemi / Fairchild 2FDE23CA247239DF0CF0F719E3314AD4108D7BC1007E7E9C83920DE3124DED00.pdf MOSFETs Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.72 грн
10+186.50 грн
100+121.24 грн
500+113.36 грн
1000+112.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E Виробник : onsemi FCPF260N60E-D.PDF Description: MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.01 грн
10+208.13 грн
100+147.36 грн
500+113.98 грн
1000+106.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E Виробник : ON Semiconductor fcpf260n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E Виробник : ON Semiconductor FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf
на замовлення 49650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E Виробник : ON Semiconductor fcpf260n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E Виробник : ON Semiconductor fcpf260n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E Виробник : ON Semiconductor fcpf260n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E FCPF260N60E Виробник : ON Semiconductor fcpf260n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF260N60E Виробник : ONSEMI FCPF260N60E-D.PDF fcpf260n60e-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; Idm: 45A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.