
FCPF260N60E ON Semiconductor
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 82.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF260N60E ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCPF260N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.22 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 36W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCPF260N60E за ціною від 106.02 грн до 227.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FCPF260N60E | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCPF260N60E | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCPF260N60E | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V |
на замовлення 1867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCPF260N60E | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
FCPF260N60E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
FCPF260N60E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 49650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
FCPF260N60E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FCPF260N60E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FCPF260N60E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
FCPF260N60E | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
FCPF260N60E | Виробник : ONSEMI |
![]() ![]() |
товару немає в наявності |