Продукція > ONSEMI > FCPF360N65S3R0L-F154
FCPF360N65S3R0L-F154

FCPF360N65S3R0L-F154 onsemi

FCPF360N65S3R0L-F154-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.17 грн
50+127.37 грн
100+115.45 грн
500+88.74 грн
1000+82.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF360N65S3R0L-F154 onsemi

Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FCPF360N65S3R0L-F154

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCPF360N65S3R0L-F154 FCPF360N65S3R0L-F154 onsemi FCPF360N65S3R0L-F154-D.PDF MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154 FCPF360N65S3R0L-F154 ONSEMI FCPF360N65S3R0L-F154-D.PDF Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154 FCPF360N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF360N65S3R0L-F154
Виробник: onsemi
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154 FCPF360N65S3R0L-F154-D.PDF
FCPF360N65S3R0L-F154
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.