Продукція > ONSEMI > FCPF360N65S3R0L-F154
FCPF360N65S3R0L-F154

FCPF360N65S3R0L-F154 onsemi

fcpf360n65s3r0l-f154-d.pdf Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.52 грн
50+115.36 грн
100+113.92 грн
500+95.82 грн
1000+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF360N65S3R0L-F154 onsemi

Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FCPF360N65S3R0L-F154 за ціною від 96.37 грн до 260.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCPF360N65S3R0L-F154 FCPF360N65S3R0L-F154 Виробник : ONSEMI 3213413.pdf Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+255.84 грн
10+207.15 грн
100+124.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154 FCPF360N65S3R0L-F154 Виробник : onsemi fcpf360n65s3r0l-f154-d.pdf MOSFETs Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 10 A, 360 mohm, TO-220F Ultra narrow lead
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.06 грн
25+131.14 грн
100+107.41 грн
500+96.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154 FCPF360N65S3R0L-F154 Виробник : ON Semiconductor fcpf360n65s3r0l-f154-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF360N65S3R0L-F154 FCPF360N65S3R0L-F154 Виробник : ON Semiconductor fcpf360n65s3r0l-f154-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.