 
FCPF360N65S3R0L-F154 onsemi
 Виробник: onsemi
                                                Виробник: onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2+ | 245.35 грн | 
| 50+ | 115.57 грн | 
| 100+ | 114.85 грн | 
| 500+ | 94.80 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF360N65S3R0L-F154 onsemi
Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024). 
Інші пропозиції FCPF360N65S3R0L-F154 за ціною від 90.88 грн до 280.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | FCPF360N65S3R0L-F154 | Виробник : onsemi |  MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG | на замовлення 569 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | FCPF360N65S3R0L-F154 | Виробник : ONSEMI |  Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.31 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.31ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1281 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||
|   | FCPF360N65S3R0L-F154 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 650V 10A Tube | товару немає в наявності | |||||||||||||
|   | FCPF360N65S3R0L-F154 | Виробник : ON Semiconductor |  Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube | товару немає в наявності |