| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 246.47 грн |
| 10+ | 138.71 грн |
| 100+ | 109.47 грн |
| 500+ | 85.76 грн |
| 1000+ | 82.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF360N65S3R0L-F154 onsemi
Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCPF360N65S3R0L-F154 за ціною від 83.34 грн до 266.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FCPF360N65S3R0L-F154 | Виробник : onsemi |
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFEPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 730 pF @ 400 V |
на замовлення 1377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FCPF360N65S3R0L-F154 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF360N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10 A, 0.36 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FCPF360N65S3R0L-F154 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FCPF360N65S3R0L-F154 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; N; 650V; 10A; 27W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Case: TO220 Gate-source voltage: 30V Mounting: THT Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.36Ω Power dissipation: 27W Technology: PowerTrench® Gate charge: 18nC |
товару немає в наявності |



