
FCPF380N65FL1 onsemi / Fairchild

MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET II, FRFET , 650 V, 10.2 A, 380 mO, TO-220F
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 187.11 грн |
10+ | 166.67 грн |
25+ | 136.84 грн |
100+ | 116.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF380N65FL1 onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FCPF380N65FL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 10.2 A, 0.38 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FCPF380N65FL1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FCPF380N65FL1 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||
![]() |
FCPF380N65FL1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FCPF380N65FL1 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
FCPF380N65FL1 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |