Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FCPF4300N80Z
FCPF4300N80Z

FCPF4300N80Z Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003584039-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
263+85.08 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF4300N80Z Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: TO-220F-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA, Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.

Інші пропозиції FCPF4300N80Z за ціною від 76.08 грн до 230.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FCPF4300N80Z FCPF4300N80Z onsemi fcpf4300n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.44 грн
10+144.16 грн
100+99.95 грн
500+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80Z FCPF4300N80Z onsemi / Fairchild FCPF4300N80Z-D.PDF MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 1.6 A, 4.3 O
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80Z fcpf4300n80z-d.pdf
FCPF4300N80Z
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1.6A TO220F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 19.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+230.44 грн
10+144.16 грн
100+99.95 грн
500+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF4300N80Z FCPF4300N80Z-D.PDF
FCPF4300N80Z
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET 800 V, 1.6 A, 4.3 O
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.