Продукція > ONSEMI > FCPF600N65S3R0L-F154
FCPF600N65S3R0L-F154

FCPF600N65S3R0L-F154 ONSEMI

3213414.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.474 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.474ohm
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+226.92 грн
10+ 183.49 грн
100+ 149.78 грн
500+ 102.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCPF600N65S3R0L-F154 ONSEMI

Description: POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 24W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V.

Інші пропозиції FCPF600N65S3R0L-F154

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCPF600N65S3R0L-F154 FCPF600N65S3R0L-F154 Виробник : ON Semiconductor fcpf600n65s3r0l-f154-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 6A Tube
товар відсутній
FCPF600N65S3R0L-F154 FCPF600N65S3R0L-F154 Виробник : onsemi fcpf600n65s3r0l-f154-d.pdf Description: POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
товар відсутній
FCPF600N65S3R0L-F154 FCPF600N65S3R0L-F154 Виробник : onsemi fcpf600n65s3r0l-f154-d.pdf Description: POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
товар відсутній
FCPF600N65S3R0L-F154 FCPF600N65S3R0L-F154 Виробник : onsemi FCPF600N65S3R0L_F154_D-2255848.pdf MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
товар відсутній