FCPF600N65S3R0L-F154 onsemi
Виробник: onsemiDescription: POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 88.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF600N65S3R0L-F154 onsemi
Description: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.474 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.474ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FCPF600N65S3R0L-F154 за ціною від 81.46 грн до 269.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCPF600N65S3R0L-F154 | Виробник : onsemi |
MOSFETs SUPERFET3 650V TO220F PKG |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FCPF600N65S3R0L-F154 | Виробник : onsemi |
Description: POWER SUPERFET MOSFET N-CHANNEL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 120µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCPF600N65S3R0L-F154 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L-F154 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.474 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.474ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FCPF600N65S3R0L-F154 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A Tube |
товару немає в наявності |