FCPF600N65S3R0L ON Semiconductor
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 41.57 грн |
| 20+ | 30.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF600N65S3R0L ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FCPF600N65S3R0L за ціною від 48.03 грн до 49.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCPF600N65S3R0L | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FCPF600N65S3R0L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 6 A, 0.6 ohm, TO-220F, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 185337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FCPF600N65S3R0L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V |
на замовлення 178260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FCPF600N65S3R0L | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm |
на замовлення 927 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
|
|
FCPF600N65S3R0L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| FCPF600N65S3R0L | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 735 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
FCPF600N65S3R0L | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 650V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
FCPF600N65S3R0L | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 650V 6A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 24W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 465 pF @ 400 V |
товару немає в наявності |