Інші пропозиції FCPF650N80Z за ціною від 95.15 грн до 305.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCPF650N80Z | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FCPF650N80Z | onsemi |
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FCPF650N80Z | ON Semiconductor |
|
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCPF650N80Z |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 30.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1565 pF @ 100 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 297.35 грн |
| 50+ | 146.66 грн |
| 100+ | 133.19 грн |
| 500+ | 102.82 грн |
| FCPF650N80Z |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 305.07 грн |
| 10+ | 155.63 грн |
| 100+ | 110.66 грн |
| 500+ | 97.27 грн |
| 1000+ | 95.15 грн |
| FCPF650N80Z |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 780 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)