на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.69 грн |
| 10+ | 111.36 грн |
| 100+ | 94.47 грн |
| 500+ | 91.32 грн |
| 1000+ | 89.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCPF850N80Z onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCPF850N80Z за ціною від 95.74 грн до 281.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCPF850N80Z | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 800V 6A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 28.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| FCPF850N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 4990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
 |
FCPF850N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FCPF850N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FCPF850N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| FCPF850N80Z | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 18A; 28.4W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 28.4W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 22nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |