Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FCU3400N80Z
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003587548-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 2A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 1691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCU3400N80Z Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 800V 2A I-PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCU3400N80Z

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCU3400N80Z FCU3400N80Z Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FCU3400N80Z-D-1806650.pdf MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET II, 800 V, 2 A, 3.4 O, IPAK
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCU3400N80Z FCU3400N80Z Виробник : ON Semiconductor 3648824885907187fcu3400n80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCU3400N80Z FCU3400N80Z Виробник : onsemi fcu3400n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.