FCU3400N80Z ON Semiconductor / Fairchild
Виробник: ON Semiconductor / FairchildMOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET II, 800 V, 2 A, 3.4 O, IPAK
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCU3400N80Z ON Semiconductor / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCU3400N80Z
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FCU3400N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
FCU3400N80Z | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |