FCU4300N80Z onsemi / Fairchild
на замовлення 48495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 7.71 грн |
118+ | 2.58 грн |
286+ | 0.92 грн |
1000+ | 0.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCU4300N80Z onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V, Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCU4300N80Z за ціною від 39.59 грн до 39.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FCU4300N80Z | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FCU4300N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 8995 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |