FCU4300N80Z onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 8.04 грн |
| 118+ | 2.69 грн |
| 286+ | 0.96 грн |
| 1000+ | 0.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCU4300N80Z onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: IPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA, Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції FCU4300N80Z за ціною від 58.90 грн до 58.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FCU4300N80Z | Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| FCU4300N80Z | ON Semiconductor |
|
на замовлення 8995 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FCU4300N80Z |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 800V 1.6A I-PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 27.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 800mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bulk
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 342+ | 58.90 грн |
| FCU4300N80Z |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)