Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FCU850N80Z
FCU850N80Z

FCU850N80Z Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003587695-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+123.44 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCU850N80Z Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V.

Інші пропозиції FCU850N80Z за ціною від 122.08 грн до 225.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FCU850N80Z FCU850N80Z Виробник : onsemi / Fairchild FCU850N80Z_D-1806440.pdf MOSFET SF3 800V 850 MOHM E IPAK
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.36 грн
10+199.93 грн
25+164.58 грн
100+122.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FCU850N80Z Виробник : ON Semiconductor ONSM-S-A0003587695-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fcu850n80z-d.pdf
на замовлення 11700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCU850N80Z FCU850N80Z Виробник : onsemi fcu850n80z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.