на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 193.74 грн |
| 10+ | 171.88 грн |
| 25+ | 141.49 грн |
| 100+ | 104.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FCU850N80Z onsemi / Fairchild
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA, Supplier Device Package: I-PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FCU850N80Z за ціною від 84.07 грн до 84.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FCU850N80Z | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 600µA Supplier Device Package: I-PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| FCU850N80Z | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 11700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |