Продукція > ONSEMI > FCU900N60Z
FCU900N60Z

FCU900N60Z onsemi

fcu900n60z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
на замовлення 112345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
379+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 379
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCU900N60Z onsemi

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 52W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FCU900N60Z за ціною від 44.28 грн до 118.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCU900N60Z FCU900N60Z Виробник : ONSEMI fcu900n60z-d.pdf Description: ONSEMI - FCU900N60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 0.82 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4.5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 52
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 52
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.82
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.82
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+97.12 грн
11+ 69.92 грн
Мінімальне замовлення: 8
FCU900N60Z FCU900N60Z Виробник : onsemi / Fairchild FCU900N60Z_D-2311835.pdf MOSFET Low Power Two-Input Logic Gate TinyLogic
на замовлення 1733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.87 грн
10+ 96.49 грн
75+ 66.59 грн
300+ 60.13 грн
525+ 49.81 грн
1050+ 44.68 грн
2550+ 44.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCU900N60Z FCU900N60Z Виробник : ON Semiconductor fcu900n60z-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FCU900N60Z FCU900N60Z Виробник : onsemi fcu900n60z-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товар відсутній