Продукція > DIODES INCORPORATED > FCX591QTA
FCX591QTA

FCX591QTA Diodes Incorporated

FCX591Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+12.64 грн
2000+ 10.88 грн
5000+ 10.32 грн
10000+ 9 грн
25000+ 8.79 грн
50000+ 8.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FCX591QTA Diodes Incorporated

Description: PWR MID PERF TRANSISTOR SOT89 T&, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 150MHz, Supplier Device Package: SOT-89-3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FCX591QTA

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FCX591QTA FCX591QTA Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0009189227_1-2543279.pdf Bipolar Transistors - BJT 60V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR
товар відсутній